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半导体和半导体器件中的击穿现象

  Michael Levinshtein Russian Academy OfSciences,RussiaJuha KostamovaaraFinlandRussian Academy ofSergey Vainshtein University of Oulu,FinlandBreakdown Phenomena inSemiconductors andSemiconductor Devices2005,208pp.Hardcover USD85.00ISBN 981-256-395-4Wor1d Scientificwww.省略
  
  碰撞离化、雪崩和击穿效应是许多重要的半导体器件的基础。如雪崩光二极管、雪崩晶体管、抑制器、锐化二极管(击穿被延迟的二极管)、Impact和俘获等离子雪崩触发渡越二极管等。为了获得最快的速度和最大的功率,许多半导体器件必须在击穿或十分接近击穿的条件下工作。因此,对于工作与半导体器件有关的研究或工程技术人员,必需对击穿有所了解。
  此书总结了半导体和半导体器件中与雪崩和击穿现象有关的主要实验结果,用统一的观点分析了它们的特征。特别着重于雪崩倍增效应和不同类型击穿现象以及对它们进行定量分析。全书共有5章,内容有基础性介绍(第1章);雪崩倍增(第2章);静态雪崩击穿(第3章);雪崩注入(第4章);动态击穿(第5章)等。
  此书适于与半导体和半导体器件有关的学生、研究和工程技术人员阅读和参考。
  孔梅影,研究员
  (中国科学院半导体研究所)
  Kong Meiying,Professor
  (Institute of Semiconductors,
  the Chinese Academy of Sciences)


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