纯国产DDR4 3000内存实战体验

来源:用户上传      作者:马宇川

　　光威弈PRO系列DDR4台式机内存解析
　　我们此次收到的是光威弈PRO系列DDR430008GB台式机内存，与光威的国产SSD类似，其产品包装采用了中国红的配色、霸气的龙头LOGO，无一不彰显出它的中国元素。不过在内存方面，尽管频率已经达到DDR43000，但内存的外观设计比较简单，没有装配散热片，内存颗粒全部裸露出现，也就是俗称的“裸条”，这也让我们能仔细看看它的颗粒。相对SSD，内存的结构更简单，主要由PCB与内存颗粒、SPD芯片，以及一些辅助供电元件构成。因此内存颗粒就是内存中最为重要的部分，而光威弈PRO系列内存采用的颗粒全部由我国长鑫存储技术有限公司生产、制造。长鑫存储公司位于“创新之都”—安徽合肥。作为一体化存储器制造商，公司专业从事动态随机存取存储芯片即内存颗粒的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。
　　光威弈PRO系列DDR430008GB内存采用了单面8颗粒设计，单颗8Gb组成8GB的容量。颗粒表面有“CXMT”的标识，这就是合肥长鑫的LOGO，颗粒上的“2016”则应该是2020年第16周生产的意思。这款内存颗粒是长鑫通过收购奇梦达的专利技术，并在奇梦达的46nm工艺上进行改进，研发出具有自主产权的10nm级（实际生产工艺为19nm）内存颗粒，其生产工艺水平已接近同样在使用10nm级生产工艺的国外内存颗粒厂商三星、美光。在延迟设定上，这款内存在DDR43000下的工作延迟为16-18-18-38@2T，延迟设定并不高，达到了同类产品的较好水平。当然要工作在DDR43000这一频率下，需要主板支持英特尔XMP或AMDD.O.C.P一键超频技术。
　　其他方面，这款内存还采用了8层PCB设计，采用多层PCB可以让设计人员更从容地控制线长、线路分布更加合理，线间的干扰与发热也能得到减小，为内存带来更好的电气性能。接下来我们特别搭建基于第十代酷睿处理器、Z490主板、GeForceRTX2060Super显卡的第十代酷睿平台对内存的性能进行了测试，测试中我们采用了两根光威弈PRO系列DDR430008GB内存，组成双通道系统。
　　性能表现较好可稳定超频到DDR4 3400
　　首先从默认状态下的性能表现来看，这款内存发挥出了DDR43000内存的正常水准—在双通道配置下，AIDA64的内存读写带宽均突破了43000MB/s，同时得益于较低的延迟设置，内存的总体访问延迟不到50ns，内存延迟控制得比较好。同时在专业的SiSoftwareSandra内存测试中，其内存带宽也达到了29GB/s，内存访问延迟只有27.2ns。而在普通用户常用的《鲁大师》5.20的内存性能测试中，这款内存的得分也突破了11000分，击败全国99%的用户。同时，内存也发挥出了酷睿i7-10700K处理器的性能，其CINEBENCHR20处理器渲染性能达到4964pts，WinRAR压缩性能突破28000KB/s，可在1080p分辨率下流畅运行游戏大作。
　　接下来我们还测试了光威弈PRO系列DDR430008GB内存的超频能力。经多次尝试，我们发现在保持延迟设置为16-18-18-38@2T，内存电压仍维持在1.35V的设置下，这款内存的最高可工作频率为DDR43400。超频后，其内存性能有了进一步提升，如AIDA64内存读写带宽均突破48000MB/s，内存复制带宽从39158MB/s提升到43959MB/s，提升幅度达12.2%，延迟则降低到46.8ns。同时在SiSoftwareSandra内存带宽测试中，成绩也提升到了32GB/s，内存整体性能提升幅度也在10%以上，内存延迟则从27.2ns降低到25.9ns。
　　内存性能的提升也小幅带动了处理器性能的提升，如WinRAR压缩性能从28188KB/秒提升到29059KB/秒，CINEBENCHR20处理器渲染性能也从4964pts小幅提升到4969pts。此外在游戏《僵尸世界大战：部落模式》的1080p分辨率、最高画质设定下，其平均运行帧速也增加了2fps。
　　最后我们还测试了光威弈PRO系列DDR430008GB内存超频到DDR43400下的稳定性。测试中运行了AIDA64内存烤机测试，当运行时间达到半小时后，内存没有出现任何不稳定或蓝屏的现象。从FLIR红外热像仪侦测来看，虽然内存没有配备散热片但得益于先进的生产工艺，内存的发热量并不高，即便在DDR43400下满载运行，内存颗粒的表面最高温度只有53.5℃，内存表面平均温度在43.8℃左右。
　　国产自主内存进步神速
　　综合以上体验来看，光威弈PRO系列DDR430008GB内存已经达到了国外同类产品的水平，它不仅可在默认频率下，提供能够满足大部分用户的性能，更具备可“免费”提升400MHz稳定超频到DDR43400的能力，为用户带来明显的性能提升，而且内存在超频后的发热量也不大。当然，我们也希望光威能为这款内存加上散热片，一方面可以降低内存的工作温度，提高内存的散热效率，一方面也可以提升内存的外观形象，给用户更好的观感。
　　值得称赞的是，采用19nm颗粒的光威弈PRO系列DDR4内存只是国产内存的第一步，根据长鑫存储的产品规划图显示，预计在今年底长鑫还会量产更加先进的17nm颗粒，在未来2～3年还将完成低功耗、高速率LPDDR5内存、GDDR6显存的研发、生产，以及14nm、15nm生产工艺的研发，进一步追上国外厂商的技术水平。显然与国产SSD一样，国产内存的问世时间尽管不早，但其发展速度卻疾如雷电，更多的惊喜还将接踵而至。
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