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面向5G的MEMS跷跷板结构功率传感器

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  【摘  要】为了解决5G功率传感器灵敏度不高的问题,创新性地提出一种可面向5G应用的MEMS跷跷板结构功率传感器。S参数测试结果表明,在1 GHz—10 GHz的频段内传感器的回波损耗小于-12.5 dB,插入损耗小于1.5 dB。功率响应测试表明,内部电容的灵敏度接近69.2aF/mW@1GHz、71.5aF/mW@5GHz和66.3aF/mW@10GHz,外部电容的灵敏度约为35.2aF/mW@1GHz、33.0aF/mW@5GHz和27.6aF/mW@10GHz,表明该跷跷板结构设计提高了传感器的灵敏度。
  【关键词】5G;微机械MEMS;功率传感器;跷跷板
  doi:10.3969/j.issn.1006-1010.2020.03.016        中图分类号:TN929.5
  文献标志码:A        文章编号:1006-1010(2020)03-0081-04
  引用格式:钱文轩,易真翔. 面向5G的MEMS跷跷板结构功率传感器[J]. 移动通信, 2020,44(3): 81-84.
  Research on Power Sensor with MEMS Seesaw-type Architecture for 5G Applications
  QIAN Wenxuan1, YI Zhenxiang2
  (1.China United Network Communications Co., Ltd., Network Technology Research Institute, Nanjing 210000, China;
  2. Southeast University, Nanjing 210000, China)
  [Abstract] In this paper, a power sensor with MEMS seesaw-type architecture is proposed for 5G applications to solve the low sensitivity problem of 5G power sensors. The S-parameter testing results show that the return loss is less than -12.5 dB and the insertion loss is better than 1.5 dB for the sensors with the frequency range 1 GHz-10 GHz. The power response testing demonstrates that the measured sensitivities for inner capacitance are close to 69.2aF/mW@1GHz, 71.5aF/mW@5GHz and 66.3aF/mW@10GHz, respectively, while the sensitivities for outer capacitance are close to 35.2aF/mW@1GHz, 33.0aF/mW@5GHz and 27.6aF/mW@10GHz, respectively. It shows that the proposed seesaw-type architecture design effectively improves the sensitivity of the sensor.
  [Key words]5G; MEMS; power sensor; seesaw-type architecture
  0   引言
  随着5G商用周期正式拉开序幕,5G设备组件的设计、制造、检测技术将直接决定相关产品的成本和质量,从而影响5G网络在世界范围内的部署进度。其中,功率检测被广泛应用于5G收发组件中,因此,功率传感器的性能将直接决定收发模块的未来发展[1]。
  截至目前,基于MEMS技术的功率传感器主要有两种。第一种是Dehe[2-4]等人提出的MEMS终端式功率传感器,其原理是將功率信号通过电阻全部转换成热量,其后通过塞贝克效应检测温场的分布,反推出待测功率的大小。该传感器具有线性度好、回波损耗低等优点。但是,其缺点是待测的功率信号全部转换成热量,无法为后续的电路提供能量。第二种是Fernandez[5-7]等人提出的基于MEMS固支梁结构的功率传感器,在该传感器中,MEMS梁和信号线之间产生一个等效静电力,从而使得MEMS梁产生一个向下的位移。通过检测MEMS梁与测试电极之间电容的变化,可反推出功率值。该传感器的优点是只需要消耗很少部分的功率,剩余的功率仍可为后续电路提供能量。但是,该传感器灵敏度较低,对测量电路要求较高[8-9]。
  为了解决上述问题,既实现在线测量的优点,又提高传感器的灵敏度,本文提出了一种新型的基于MEMS跷跷板结构的功率传感器[10]。
  1    原理与模型
  如图1所示,该传感器主要包括共面波导传输线、MEMS梁和测量电极。与传统结构不同的是,MEMS梁并未终止于锚区,而是向外延伸了一段,形成类似跷跷板的结构。当无功率时,MEMS梁保持不变;当有功率流过时,因为等效静电力的下拉作用,MEMS梁的中间部分会向衬底移动。同时,由于锚区较窄,类似支点的作用,延伸出去的两端向衬底的反方向移动。因此,MEMS梁和内部测量电极构成的内电容(Cin=Cin1+Cin2)增大,MEMS梁和外部测量电极构成的外电容(Cout=Cout1+Cout2)减小,因此,总的电容变化量Cin-Cout增大,从而有效提高传感器的测试灵敏度。   2    制备
  图2给出了基于MEMS跷跷板结构的功率传感器的制备流程图。首先,准备GaAs衬底;然后,溅射一层0.45 μm厚的金,光刻,形成CPW传输线、测量电极和接触块;接着,蒸发一层0.1 μm厚Si3N4,光刻,形成测量电极上的介电层;之后,旋涂1.6 μm厚的聚酰亚胺,光刻,形成MEMS梁的牺牲层;电镀第二层金,形成CPW传输线和MEMS跷跷板结构梁。制备后的功率传感器的显微照片如图3所示:
  3   测试
  首先,采用网络分析仪和探针台对功率传感器进行微波性能测试,结果如图4所示。可以看出,在1 GHz—10 GHz的频带内,传感器的回波损耗小于-12.5 dB,插入损耗优于2 dB。利用ADS软件对传感器进行模拟,其结果和测试结果吻合较好。图5记录了传感器的相移特性,相移量约为3.3°@1GHz和31.3°@10GHz。
  将信号发生器产生的信号通过探针台流过功率传感器,利用AD7747开发板测量内部电容和外部电容的变化量,其结果分别如图6所示。当微波功率从0 mW增加到100 mW时,内部电容增大,其变化量从0 fF增大至7 fF,灵敏度约为69.2 aF/mW、71.5 aF/mW和66.32 aF/mW。同时外部电容减小,幅度从0 fF增加到3.5 fF,灵敏度接近35.2 aF/mW、33.0 aF/mW和27.6 aF/mW。
  4   结论
  本文提出了一种新型的基于MEMS跷跷板结构的功率传感器。当信号经过时,由于等效静电力的作用,MEMS梁的中间部分下移,同时,MEMS梁的两端部分在支点作用下向上移动。因此,传感器内部电容增大,外部电容减小,使得传感器的灵敏度提高。本文建立了传感器的电-力-电转换模型,并利用GaAs MMIC工艺对传感器进行制备。各类测试结果表明,该传感器既可实现在线测量,又在一定程度上提高了测量灵敏度。因此,该传感器未来可应在5G通信接收模块的设计、制造、测试和优化中。
  参考文献:
  [1]    L Han, Q-A Huang, X-P Liao, et al. A micromachined inline-type wideband microwave power sensor based on GaAs MMIC technology[J]. J. Microelectromech. Syst., 2009,18(3): 705–714.
  [2]    A Dehe, H Klingbeil, V Krozer, et al. GaAs monolithic integrated microwave power sensor in coplanar waveguide technology[J]. IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig., 1996: 161–164.
  [3]    A Dehé, K Fricke-Neuderth, V Krozer. Broadband thermoelectric microwave power sensors using GaAs foundry process[J]. IEEE MTT-S Int. Microw. Symp. Dig., 2002: 1829–1832.
  [4]    A Dehé, V Krozer, K Fricke, et al. Integrated microwave power sensor[J]. 1995,31(25): 2187–2188.
  [5]    L J Fernandez. Radio frequency power sensor based on MEMS technology[J]. Proc. IEEE Sensors, 2003: 549–552.
  [6]      L J Fernandez, J Sese, R Wiegerink, et al. Radio frequency power sensor based on MEMS technology with ultra low loss[J]. Proc. IEEE Int. Conf. Micro Electro Mech. Syst., 2005: 191–194.
  [7]      L J Fernandez, R J Wiegerink, J Flokstra, et al. A capacitive  RF power sensor based on MEMS technology[J]. 2006,16(7):          1099–1107.
  [8]     Z Yi, X Liao. A capacitive power sensor based on the MEMS cantilever beam fabricated by GaAs MMIC technology[J]. 2013,23(3).
  [9]    Y Cui, X Liao.Modeling and design of a capacitive microwave power sensor for X-band applications based on GaAs technology[J]. 2012,22(5).
  [10]    Z Yi, H Yan, J Yan, et al. Fabrication of the differential microwave power sensor by seesaw-type MEMS membrane[J]. 2016,25(4): 582–584.
  作者簡介
  钱文轩(orcid.org/0000-0002-7227-1243):工程师,硕士毕业于东南大学,现任职于中国联合网络通信有限公司网络技术研究院,主要从事5G技术相关产品的规划、设计和研发工作。
  易真翔:副教授,博士毕业于东南大学毕业,现任职于东南大学电子科学与工程学院,主要从事MEMS传感器的设计和研究工作。
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